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更新時間：2026-01-24 
瀏覽次數(shù)：158SENA 廣角 LED 照明裝置 SEL ONE
—— 把“整個光場"一次性鋪滿，讓檢測不再有死角
一、為什么 FAB 需要“廣角"
3D IC、Fan-Out RDL、車載 MEMS 深腔結構越來越多，傳統(tǒng)定向照明或低角度環(huán)形燈出現(xiàn)三大盲區(qū)：
SENA 把“廣角"做成標準品：SEL ONE 系列發(fā)光立體角 160°（FWHM），在 50 mm 工作距離可一次性照亮 120 mm×120 mm 區(qū)域，亮度均勻性 > 90 %，讓相機“一張圖"就能看清深腔、側壁、鏡面三大難度場景。
二、核心指標一覽
• 峰值照度：1.2×10? lx @ 50 mm（白光全譜）
• 可調色溫：3000 K – 6500 K，四通道獨立（R/G/B/W）
• 出光角：160°（實測 80° 半角光強仍保持 50 %）
• 亮度均勻性：Φ100 mm 靶面內(nèi) ±5 %
• 頻閃速度：0-10 kHz，抖動 < 50 ns
• 表面溫升：< 6 °C（連續(xù) 100 % 輸出，自然散熱）
• 壽命：50 000 h L70，無需更換燈珠模塊
三、關鍵技術拆解
2 四色合一 CSP 封裝? R/G/B/W 四芯共基板，發(fā)光面僅 1.6 mm×1.6 mm，混光距離縮短到 5 mm，腔體高度可壓縮至 12 mm；? 單通道 16 bit 調光，可在 200 µs 內(nèi)切換“高角度白→低角度紅→無影藍"三種模式，無需機械機構。
? 與 200 kHz 線陣相機同步時，行抖動 < 20 ns，保證 3.5 m/s 帶速下不拉伸圖像。
2 . 3D NAND 深孔 Macro-Inspection
? 高角度白光補足深孔 70 µm 底部照度，孔底裂紋信噪比提升 3 倍；
? 切換 450 nm 藍光，抑制 Poly-Si 晶圓背景雜訊，缺陷捕獲率由 92 % 提到 99 %
3.車載 MEMS 加速度計深槽刻蝕監(jiān)測
4.Flip-Chip Cu-Pillar 共面性 3D 輪廓
? 高度重復性 σ=0.15 µm，與白光干涉儀相關性 R=0.997，速度提升 6 倍。
? 160° 均勻面光源消除 Chrome 膜耀斑，可在 5 s 內(nèi)完成 6 英寸掩膜版宏觀缺陷掃描，替代人工顯微鏡目檢。
電氣接口
? 24 V DC 輸入，峰值功率 60 W，平均功耗 < 20 W（50 % 占空比）；
? 控制：
六、結語
當芯片走向 3D，當封裝走向異質集成，“看得見"不再是二維平面，而是深腔、側壁、鏡面并存的三維迷宮。SEL ONE 用 160° 廣角把整片光場一次性鋪滿，讓相機無需多角度拼接，讓算法無需陰影補償，讓產(chǎn)能不再被照明拖累。
在半導體制造的納米世界里，SEL ONE 不是主角，卻是讓每一幀圖像都“沒有死角"的那道光——簡單、廣角、冷光、免維護，為檢測與量測打開全新的視野。
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