一、行業(yè)痛點：當 28 nm 走向 3 nm，光不再只是“照亮”在 3 nm 節(jié)點以下，overlay 誤差預算 < 2 nm，缺陷檢測閾值 < 20 nm。傳統(tǒng) LED 或汞燈光源在 450 nm 以下波段照度驟降，導致：1.光學對準信號-to-noise 比不足，套刻誤差放大；2.明場/暗場缺陷檢測需長時間積分，產(chǎn)能降低 15–20 %；3.深紫外區(qū)以外，灰階邊緣銳度差，CD-SEM 復檢率高。Sena 185LE 以“鹵素黑體輻射 + 濾光 + 液態(tài)金屬導熱”三大技術(shù)，把 380–800 nm 區(qū)間照度推高到 4.5×10? lx(@100 mm WD)，為 28 nm→3 nm 提供可落地的“可見光”方案。
二、產(chǎn)品核心技術(shù)
185 W 超短弧鹵素燈球
? 色溫 3400 K，可見區(qū)能量密度比 150 W 提升 42 %；
? 燈球壁厚 0.8 mm，實現(xiàn) < 0.3 mm 弧閃，適配高 NA 光學系統(tǒng)。
2.Liquid-Metal Heat-Pipe 導熱模組
? 導熱系數(shù) 40 W/m·K，比熱管方案再降 18 °C；
? 燈球壽命 3000 h，L70 衰減 < 10 %。
3. Hot-Mirror 濾光片? 反射 > 95 % IR(>800 nm)，透射區(qū) 380–750 nm 平均透過率 96 %；? 熱負荷下降 38 %，避免光刻膠熱漂移。
4. 0–100 % 無級調(diào)光 + 10 kHz 高頻斬波
? 滿足 frame-to-frame 能量閉環(huán)；
? 與 E-beam、激光干涉儀同步，抖動 < 50 ns。
三、半導體典型應用場景
光學套刻對準(OAS)
? 照度↑ → 對準標記邊緣對比度↑ → 套刻誤差降低 0.4 nm；
? 300 mm 晶圓全掃描時間從 1.8 s 縮至 0.9 s，產(chǎn)能 + 3.5 %。
明場缺陷檢測(BFI)
? 4.5×10? lx 輸出，可將 CCD 積分時間縮短 60 %；
? 在 0.25 µm Poly-Si 層捕獲 20 nm 凸起缺陷，捕獲率 > 98 %。
關(guān)鍵尺寸(CD)光學量測
? 高準直光(NA 0.05)+ 低相干，降低 3D 光柵衍射噪聲；
? 與 CD-SEM 相關(guān)性 R² > 0.98，實現(xiàn) 100 % 非破壞抽檢。
電子封裝 ABF 層對位
? 185LE 紅光區(qū)(620–750 nm)可穿透 100 µm 半透光 ABF；
? 實現(xiàn) RDL→Die 標記一次性對準，省去二次翻蓋。
四、落地案例
• 某存儲器大廠 3 nm pilot line
– 采用 185LE + 自研深紫外鏡組，overlay 誤差由 1.8 nm 降至 1.3 nm；
– 每小時曝光晶圓數(shù)(WPH)提升 4.1 %，年化增收 1.2 億美金。
• 國內(nèi) 12″ 邏輯廠 28 nm 擴產(chǎn)
– 替換原有 150 W 汞燈，缺陷檢測 recipe 減少 35 %；
– 設(shè)備保養(yǎng)周期從 2 周延長到 6 周，OEE 提升 6.7 %。
五、選型與集成要點
光斑尺寸：標配 50 mm/100 mm/150 mm 三檔光纖出口，可定制 fly-eye 勻光棒；
熱管理：需預留 2 L/min 去離子水冷卻，進水溫度 22 ± 1 °C；
電磁兼容：符合 SEMI F47 電壓跌落標準，內(nèi)置 500 W 在線 UPS 抗 200 ms 掉電；
安全：內(nèi)置雙通道 UV/IR 截止快門，滿足 IEC 62471 Exempt 等級。
總結(jié)
當摩爾定律逼近物理極限，任何 1 nm 的誤差都可能轉(zhuǎn)化為 1 億美元的損失。Sena 185LE 用“超高照度”把可見光推向高標準，讓光學系統(tǒng)在 28 nm→3 nm 的演進中繼續(xù)扮演“守門人”角色——它不是替代 EUV，而是讓可見光在檢測、量測、對準環(huán)節(jié)繼續(xù)發(fā)光發(fā)熱，為每一代節(jié)點提供可落地的“光”的增量價值。
更新時間：2026-01-26 
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